Фотодиод ФД-299М

Средняя: 5 (1 оценка)
Цена: 
По запросу
Производитель: 

Оплата

  • Безналичный расчет
  • Предоплата на банковкую карту
  • Оплата с отсрочкой платежа

Доставка

  • Деловые Линии;
  • ПЭК;
  • ЖелДорЭкспедиция;
  • КИТ;
  • Энергия;

Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения

Отличительные особенности

  • повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
  • негерметичное безкорпусное исполнение.
Технические характеристики
Наименование параметра Значение
Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 2х2
Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее 3,6
Область спектральной чувствительности, мкм 0,4-1,0
Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более 60